નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

  • A
    તાપમાનમાં વધારો થતાં આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહકનો અવરોધ ઘટે છે.
  • B
    શુદ્ધ $Si$ માં ટ્રાયવેલેન્ટ અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાથી $p$-ટાઈપ અર્ધવાહક મળે છે.
  • C
    $n$-ટાઈપ અર્ધવાહકોમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ (holes) હોય છે.
  • D
    $p-n$ જંકશન અર્ધવાહક ડાયોડ તરીકે કાર્ય કરી શકે છે.

Explore More

Similar Questions

ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:

એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.

જ્યારે જર્મેનિયમમાં નીચેનામાંથી કોનું ડોપિંગ કરવામાં આવે ત્યારે $n-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર મળે છે?

જ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સ (વીજભાર વાહકો) કયા છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo