रिवर्स बायस $pn$-जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई:

दिए गए परिपथ के अनुसार,बैटरी से प्रवाहित होने वाली धारा का मान $\dots \; A$ होगा।

$p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर करता है:
$(1)$ अर्धचालक पदार्थ का प्रकार
$(2)$ डोपिंग की मात्रा
$(3)$ तापमान
निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

दो समान $p-n$ जंक्शनों को नीचे दिखाए अनुसार तीन तरीकों से एक बैटरी के साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा गया है। किन परिपथों में दोनों $p-n$ जंक्शनों के सिरों पर विभव पतन (potential drop) समान है?

चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण चित्र में दर्शाया गया है। $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ और $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ पर डायोड का प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।