ઓરડાના તાપમાને આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા કેટલી હોય છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

$p-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં, નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?

નીચેનામાંથી કયું અકાર્બનિક સંયોજન સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) છે?

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?