$1.8\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની પ્રક્રિયામાં,સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $0.5\, eV$ છે. તો તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ......... $V$ છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

કોઈ બિંદુએ વિદ્યુતક્ષેત્રનું તરંગ સમીકરણ $E = 100 \frac{V}{m} [\sin(7 \omega t) + \cos(10 \omega t) + \cos(15 \omega t)]$ છે. જો ફોટોસેલનું કાર્ય વિધેય $\phi$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

સિઝિયમની સપાટી પર $557 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પીળો પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે કેથોડ-એનોડ વોલ્ટેજ $0.25 \ V$ થી ઘટી જાય ત્યારે પરિપથમાં કોઈ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન વહન પામતા નથી. તો સિઝિયમની સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલા $nm$ હશે?