$PN-$ जंक्शन के फॉरवर्ड बायसिंग के मामले में,निम्नलिखित में से कौन सा चित्र आवेश वाहकों (charge carriers) के प्रवाह की दिशा को सही ढंग से दर्शाता है?

यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।

एक अर्धचालक डायोड में,रिवर्स बायस करंट मुक्त इलेक्ट्रॉनों और होल्स के ड्रिफ्ट के कारण होता है,जो किसके द्वारा उत्पन्न होता है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:

$p-n$ जंक्शन के निर्माण के दौरान कौन सी दो महत्वपूर्ण प्रक्रियाएं होती हैं?