ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, એક વિદ્યુતચુંબકીય તરંગ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.14 \text{ eV}$ હોય અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2 \text{ V}$ હોય, તો વિદ્યુતચુંબકીય તરંગની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($\text{ nm}$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \text{ eV nm}$, જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ એ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે.)

જો ફોટોનની ઉર્જા $25\, eV$ હોય અને પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $7\, eV$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનું મૂલ્ય :-................. $V$ છે.

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. શોધો:
$(a)$ સીઝિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ,અને
$(b)$ જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60 \ V$ દ્વારા ફોટોકરન્ટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ.

જ્યારે $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા $0.5 \ eV$ હોય છે. જો $2000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. તો ધાતુની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.