એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $30 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.9 \ eV$ થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે ($eV$ માં)?

પોટેશિયમ અને ટંગસ્ટન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ અને પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વચ્ચેનો સાચો સંબંધ દર્શાવતી આકૃતિ કઈ છે?

$7.21 \times 10^{14} \; Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટી પરથી $6.0 \times 10^{5} \; m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઇલેક્ટ્રોનના ફોટો-ઉત્સર્જન માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

પ્રકાશના કયા સિદ્ધાંત દ્વારા ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવી શકાય છે?

યાદી-$I$ માં આપેલ કૃષ્ણ પદાર્થ (black body) ના તાપમાનને યાદી-$II$ માં આપેલા યોગ્ય વિધાન સાથે જોડો અને સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.
[આપેલ છે: વિનનો અચળાંક $2.9 \times 10^{-3} \, m-K$ અને $\frac{hc}{e}=1.24 \times 10^{-6} \, V-m$ ]

યાદી-$I$	યાદી-$II$
$(P)$ $2000 \, K$	$(1)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ $4 \, eV$ કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરી શકે છે.
$(Q)$ $3000 \, K$	$(2)$ મહત્તમ તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ માનવ આંખ માટે દ્રશ્યમાન છે.
$(R)$ $5000 \, K$	$(3)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરનું વિકિરણ એક સ્લિટના વિવર્તનમાં સૌથી પહોળું મધ્યસ્થ અધિકતમ આપશે.
$(S)$ $10000 \, K$	$(4)$ એકમ ક્ષેત્રફળ દીઠ ઉત્સર્જિત પાવર $6000 \, K$ તાપમાને રહેલા કૃષ્ણ પદાર્થ દ્વારા ઉત્સર્જિત પાવરના $1/16$ ગણો છે.
	$(5)$ મહત્તમ ઉત્સર્જન તરંગલંબાઇ પરના વિકિરણનો ઉપયોગ માનવ હાડકાંના ઇમેજિંગ માટે થઈ શકે છે.

$5\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો એનોડ $A$ નું કેથોડ $C$ ની સાપેક્ષ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .............. $V$ હોય તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.