જ્યારે $3f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $2hf$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ $v$ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $4.25f$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ કરવા માટેના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ માં જોવા મળતો ફેરફાર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તેનો ઢાળ (slope) અને $y$-અંતઃખંડ (intercept) અનુક્રમે કેટલા હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતું વિકિરણ એક ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

પ્રકાશના એક મોનોક્રોમેટિક બિંદુવત ઉદગમને ધાતુની સપાટીથી $d$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન પ્રતિ સેકન્ડ $n$ ના દરે ઉત્સર્જિત થાય છે અને તેમની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો ઉદગમને નજીક લાવીને $d / 2$ અંતરે રાખવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો ઉત્સર્જન દર અને મહત્તમ ગતિઊર્જા લગભગ કેટલી થશે?

$4.13 eV$ નો $UV$ પ્રકાશ $3.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($eV$ માં)?