$7 \,eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન બે ધાતુઓ $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,જેમના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $6 \,eV$ અને $3 \,eV$ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_A$ અને $\lambda_B$ છે,તો $\lambda_A / \lambda_B$ નું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે?

જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \ \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $3600 \ \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.

ધાતુ પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. જ્યારે $100 \ nm$ તરંગલંબાઈનું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ હશે.

જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ (જ્યાં $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે) એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5v_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે જ પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો છે?

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 3 \lambda_2$ હોય,તો:

પ્રકાશનો એક બિંદુવત સ્ત્રોત $4.8 eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનું ઉત્સર્જન $10^5$ ફોટોન પ્રતિ સેકન્ડના દરે કરે છે. આ ફોટોન $2.8 eV$ વર્ક ફંક્શન અને $9 mm$ ત્રિજ્યા ધરાવતા ફોટો-સેન્સિટિવ ગોળા પર આપાત થાય છે. ગોળો શરૂઆતમાં તટસ્થ છે અને ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને તરત જ દૂર કરવામાં આવે છે. કેટલા સમય પછી ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન અટકી જશે ($s$ માં)?