$N$-प्रकार के जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (mobility) $3900 \ cm^2/V \cdot s$ है और इसकी चालकता $6.24 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि सांद्रता (impurity concentration) क्या होगी?

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों का संख्या घनत्व क्रमशः $8 \times 10^{18} \ m^{-3}$ और $5 \times 10^{18} \ m^{-3}$ है। यदि इलेक्ट्रॉनों और होलों की गतिशीलता (mobility) क्रमशः $2.3 \ m^2/V \cdot s$ और $0.01 \ m^2/V \cdot s$ है,तो अर्धचालक होगा:

कमरे के तापमान पर शुद्ध जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म का घनत्व $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। एल्युमिनियम के साथ डोपिंग करने पर,होल घनत्व बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। अब,डोप्ड जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन घनत्व ($m^{-3}$ में) क्या होगा?

$P-$प्रकार के अर्धचालक में,जर्मेनियम को किसके साथ डोप किया जाता है?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।

निम्नलिखित बैंड-ऊर्जा आरेख क्या दर्शाता है?