એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની ઉર્જા અને કેપેસીટન્સ અનુક્રમે $U$ અને $C$ છે. હવે તેમાં $K = 6$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે,તો નવી ઉર્જા અને કેપેસીટન્સ કેટલા થશે? (ધારો કે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર અચળ રહે છે.)

બે ધાતુની પ્લેટો એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને દરેક પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરના નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શું હશે?

જ્યારે કેપેસિટરને $K = 3$ ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે,ત્યારે વિદ્યુતભાર $Q_0$,વોલ્ટેજ $V_0$ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર $E_0$ છે. જો હવે કેપેસિટરને $K = 9$ ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો નવો વિદ્યુતભાર,વોલ્ટેજ અને વિદ્યુતક્ષેત્ર અનુક્રમે કેટલા થશે?

એક કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલું રાખવામાં આવે છે અને તેની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન

$2 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરને $50 V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. પછીથી,કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે. જો કેપેસીટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા તેના પ્રારંભિક મૂલ્ય કરતા $25 \%$ જેટલી ઘટે છે,તો ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે ડાયઇલેક્ટ્રિકના બે સ્તરો છે. આ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાબી પ્લેટથી વિદ્યુતક્ષેત્ર $(E)$ અને અંતર $(x)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?