એક મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા તેની અગાઉની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ કરતા $3$ ગણી થાય છે. નવી દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અને અગાઉની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ માટે,નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

સમાન સ્થિતિમાનના તફાવતથી પ્રવેગિત થતાં પ્રોટોન અને $\alpha$-કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર શોધો.

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં $v_{0} \hat{i}$ જેટલા પ્રારંભિક વેગ ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રોન $E_{0} \hat{j}$ જેટલા ટ્રાન્સવર્સ વિદ્યુતક્ષેત્રના વિસ્તારમાં પ્રવેશે છે. તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda$ થી ઘટીને $\lambda / 3$ થવા માટે લાગતો સમય કોના પ્રમાણમાં છે?

જો કણની ગતિઊર્જામાં $16$ ગણો વધારો કરવામાં આવે, તો કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં થતો ટકાવારી ફેરફાર ......... $\%$ છે.

વિધાન $(A):$ $M$ દળનો સ્થિર કણ $m_1$ અને $m_2$ દળના બે કણોમાં વિભાજિત થાય છે,જેમના વેગ શૂન્ય નથી. તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર એકમ (unity) છે.
કારણ $(R):$ અહીં,આપણે રેખીય વેગમાન સંરક્ષણનો નિયમ લાગુ કરી શકતા નથી.