ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

પ્રકાશના એક મોનોક્રોમેટિક બિંદુવત ઉદગમને ધાતુની સપાટીથી $d$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન પ્રતિ સેકન્ડ $n$ ના દરે ઉત્સર્જિત થાય છે અને તેમની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો ઉદગમને નજીક લાવીને $d / 2$ અંતરે રાખવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો ઉત્સર્જન દર અને મહત્તમ ગતિઊર્જા લગભગ કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માં,ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $(K.E.)$ શેના પર આધાર રાખે છે?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ છે. જ્યારે $2f_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5f_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ: