શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાની પ્રક્રિયાને શું કહેવામાં આવે છે?

$n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક શુદ્ધ સિલિકોનમાં અનુક્રમે કોનું ડોપિંગ (doping) કરીને મેળવી શકાય છે?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \, m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \, m^2/V \cdot s$ હોય,તો સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર છે। હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની તરંગલંબાઇ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, $1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J$)

એક ઇન્ટ્રિન્સિક (શુદ્ધ) સેમિકન્ડક્ટર માટે,જ્યાં $n_{h}$ અને $n_{e}$ અનુક્રમે એકમ કદ દીઠ હોલની સંખ્યા અને એકમ કદ દીઠ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે,તો નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?