शुद्ध अर्धचालक में अशुद्धियाँ मिलाने की प्रक्रिया को क्या कहा जाता है?

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

$p-$प्रकार के अर्धचालक में,बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \; meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में ग्राही स्तर (acceptor level) संयोजी बैंड (valence band) से $57 \, meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या होगी? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$)

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता (donor) परमाणु सक्रिय हैं,तो $20 ^oC$ पर प्रतिरोधकता (resistivity) क्या होगी यदि इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ है? ($\Omega \cdot \text{cm}$ में)