સમાન વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય? ($m_p$ = પ્રોટોનનું દળ,$m_e$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ)

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં, પ્રાપ્ત કરી શકાય તેવું રિઝોલ્યુશન વપરાયેલ ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇના ક્રમનું હોય છે। $7.5 \times 10^{-12} \ m$ ની પહોળાઈને રિઝોલ્વ કરવા માટે, જરૂરી લઘુત્તમ ઇલેક્ટ્રોન ઉર્જા ............. $keV$ ની નજીક છે।

$V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોન માટે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનું પ્રાયોગિક મૂલ્ય શું છે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોનને સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_{p}$ અને $\lambda_{e}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? $[m_{e} = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}, m_{p} = \text{પ્રોટોનનું દળ}]$

ઓપ્ટિકલ માઇક્રોસ્કોપમાં કયા વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોનો ઉપયોગ થાય છે? ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં કયા પ્રકારના તરંગોનો ઉપયોગ થાય છે?

જો આપણે સમાન દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન અને ફોટોનને ધ્યાનમાં લઈએ,તો તેમની પાસે સમાન શું હશે?