ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં, પ્રાપ્ત કરી શકાય તેવું રિઝોલ્યુશન વપરાયેલ ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇના ક્રમનું હોય છે। $7.5 \times 10^{-12} \ m$ ની પહોળાઈને રિઝોલ્વ કરવા માટે, જરૂરી લઘુત્તમ ઇલેક્ટ્રોન ઉર્જા ............. $keV$ ની નજીક છે।

$V_1$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જ્યારે વિદ્યુતસ્થિતિમાન બદલીને $V_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં $50 \%$ નો વધારો થાય છે. $\left(\frac{V_1}{V_2}\right)$ નું મૂલ્ય શોધો.

ઈલેક્ટ્રોન ગનનો પ્રવેગી વોલ્ટેજ $50,000 \ V$ છે. ઈલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

$p$ જેટલું રેખીય વેગમાન ધરાવતા મૂળભૂત કણ સાથે સંકળાયેલ દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

એક ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી કરવામાં આવે,તો તેની સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલા અવયવથી બદલાશે?

$m_p$ દળ ધરાવતા પ્રોટોનની ઊર્જા $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન જેટલી જ છે. જો પ્રોટોન અ-સાપેક્ષવાદી ઝડપે ગતિ કરતો હોય,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અને ફોટોનની તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?