एक फोटोसेल से उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन का निर | vedclass

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Question

(B) निरोधी विभव $(V_0)$ वह न्यूनतम ऋणात्मक विभव है जो एनोड पर कैथोड के सापेक्ष लगाया जाता है, जो सबसे अधिक ऊर्जा वाले फोटोइलेक्ट्रॉन को भी कलेक्टर तक

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आपतित प्रकाश की आवृत्ति के सीधे समानुपाती

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(B) निरोधी विभव $(V_0)$ वह न्यूनतम ऋणात्मक विभव है जो एनोड पर कैथोड के सापेक्ष लगाया जाता है, जो सबसे अधिक ऊर्जा वाले फोटोइलेक्ट्रॉन को भी कलेक्टर तक पहुँचने से रोकता है।आइंस्टीन के प्रकाश-विद्युत समीकरण के अनुसार: $K_{max} = h
u - \Phi_0$, जहाँ $K_{max} = eV_0$ है।अतः, $eV_0 = h
u - \Phi_0$, जिसका अर्थ है $V_0 = \frac{h}{e}
u - \frac{\Phi_0}{e}$।इस समीकरण से यह स्पष्ट है कि निरोधी विभव $(V_0)$ आपतित प्रकाश की आवृत्ति ($
u$) का एक रैखिक फलन है।इसलिए, निरोधी विभव आपतित प्रकाश की आवृत्ति के सीधे समानुपाती होता है (देहली आवृत्ति से अधिक होने पर)।

एक फोटोसेल से उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन का निरोधी विभव (stopping potential) होता है:

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