अर्धचालक की प्रतिरोधकता $(\rho)$ की तापमान $(T)$ पर निर्भरता को किसके द्वारा दर्शाया गया है?

कमरे के तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन में होल और मुक्त इलेक्ट्रॉन की सांद्रता संतुलन में $1.4 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। जब इसे इंडियम के साथ डोप किया जाता है और होल की सांद्रता $n_{h} = 4 \times 10^{22} \ m^{-3}$ होती है,तो इलेक्ट्रॉन की सांद्रता क्या होगी?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः होते हैं:

$N$-प्रकार के जर्मेनियम में इलेक्ट्रॉन गतिशीलता (mobility) $3900 \ cm^2/V \cdot s$ है और इसकी चालकता $6.24 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि सांद्रता (impurity concentration) क्या होगी?

मान लीजिए कि $n_e$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व है और $v_d$ अपवाह वेग (drift velocity) है। जब तापमान बढ़ाया जाता है:

एक $p$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (acceptor) स्तर संयोजी बैंड (valence band) से $50 \text{ meV}$ ऊपर है। एक होल उत्पन्न करने के लिए,आवश्यक प्रकाश फोटॉन की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है ($\mu \text{m}$ में)? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)