$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

નીચેની યાદી-$I$ ને યાદી-$II$ સાથે જોડો.

$A$. $\oint E \cdot dA$	$(i)$ $0$
$B$. $\oint B \cdot dA$	$(ii)$ $-\frac{d\phi_B}{dt}$
$C$. $\oint E \cdot dl$	$(iii)$ $\frac{Q}{\varepsilon_0}$
$D$. $\oint B \cdot dl$	$(iv)$ $\mu_0(i_c + i_d)$

$R=6.0\; cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી વર્તુળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર (આકૃતિ) નું કેપેસિટન્સ $C=100\; pF$ છે. આ કેપેસિટરને $300 \;rad \;s ^{-1}$ ની કોણીય આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના ac સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(a)$ વહન પ્રવાહ (conduction current) નું rms મૂલ્ય કેટલું છે?
$(b)$ શું વહન પ્રવાહ એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) જેટલો છે?
$(c)$ પ્લેટોની વચ્ચે અક્ષથી $3.0\; cm$ અંતરે આવેલા બિંદુએ $B$ નું કંપવિસ્તાર નક્કી કરો.

મેક્સવેલના સમીકરણો શું છે? આ સમીકરણો લખો.

ચુંબકીય ક્ષેત્ર કોના દ્વારા ઉત્પન્ન કરી શકાય છે?

જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે વિદ્યુત ફ્લક્સમાં થતો ફેરફારનો દર $9 \pi \times 10^3 \text{ Vm s}^{-1}$ હોય,તો કેપેસિટરની અંદર સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે ($\mu \text{A}$ માં)?