$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને $V$ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. હવે બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. દરેક કેપેસિટર પરનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે?

હવાની વચ્ચે પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને બે ડાય-ઈલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. એક ડાય-ઈલેક્ટ્રિકનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $pF$ માં શોધો.

$d$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે,જેની ઋણ પ્લેટ $x = 0$ પર અને ધન પ્લેટ $x = 3d$ પર છે. સ્લેબ પ્લેટોથી સમાન અંતરે છે. કેપેસિટરને થોડો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. જેમ આપણે $x = 0$ થી $x = 3d$ તરફ જઈએ છીએ તેમ:

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ,$d$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈ અને $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરને બેટરીનો ઉપયોગ કરીને $V$ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો બેટરીને કેપેસિટરથી અલગ કર્યા પછી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને બહાર કાઢવામાં આવે,તો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો અંતિમ સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને પોટેન્શિયલ ડિફરન્સના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ઇન્સ્યુલેટેડ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને એકબીજાથી દૂર ખસેડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની માઈકા શીટ અને $0.5 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની ફાઈબર શીટથી ભરેલી છે. માઈકા અને ફાઈબરના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અનુક્રમે $8$ અને $2.5$ છે. જો ફાઈબર $6.4 \times 10^6 \,V/m$ ના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર બ્રેકડાઉન થાય, તો કેપેસિટર પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($\,V$ માં)?