જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર શું અસર થાય છે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $100\,V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $2\,mm$ જાડાઈની ડાયલેક્ટ્રિક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે,કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6\,mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે. પ્લેટનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$2 \,mm$ જાડાઈ અને $36 \pi \,mm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની પ્લેટને $6 \,mm$ પ્લેટ અંતર અને $36 \pi \,cm^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. ધાતુની પ્લેટ એક પ્લેટથી $3 \,mm$ ના અંતરે છે. આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ કેટલું છે ($\,pF$ માં)? (ધારો કે $\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0} = 9 \times 10^9 \,N m^2 C^{-2}$)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચોક્કસ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે,જો કેપેસિટરની પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે,તો:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બે સ્લેબ,જેની જાડાઈ અનુક્રમે $\frac{3}{8} d$ અને $\frac{d}{2}$ છે,તેને કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે. આના કારણે,કેપેસિટન્સ પ્લેટો વચ્ચે કંઈ ન હોય તેના કરતા બે ગણું થઈ જાય છે. જો $K_1 = 1.25 K_2$ હોય,તો $K_1$ નું મૂલ્ય શોધો.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$t_1$ જાડાઈ અને $k_1$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી એક પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. બાકીની જગ્યામાં,$t_2$ જાડાઈ અને $k_2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી બીજી પ્લેટ છે. કેપેસિટરના બે છેડા વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?