जब $300 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जक पर गिरता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन उत्सर्जित होते हैं। एक अन्य उत्सर्जक के लिए,$600 \ nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश फोटोइलेक्ट्रॉनों को मुक्त करने के लिए पर्याप्त है। दोनों उत्सर्जकों के कार्य फलन (work function) का अनुपात क्या है?

जब $300 \; nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जक पर पड़ता है,तो फोटोइलेक्ट्रॉन मुक्त होते हैं। दूसरे उत्सर्जक के लिए,$600 \; nm$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश फोटोइलेक्ट्रिक उत्सर्जन के लिए पर्याप्त है। दोनों उत्सर्जकों के कार्य फलन (work function) का अनुपात क्या है?

जब '$\lambda$' तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक प्रकाश-संवेदी सतह पर आपतित होता है, तो निरोधी विभव (stopping potential) '$V$' है। जब $1.5\lambda$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश उसी सतह पर आपतित होता है, तो निरोधी विभव '$\frac{V}{4}$' है। सतह के लिए देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) है

कथन $-1$: जब पराबैंगनी प्रकाश एक फोटोसेल पर आपतित होता है, तो इसका निरोधी विभव (stopping potential) $V_0$ है और फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा $K_{max}$ है। जब पराबैंगनी प्रकाश को $X$-किरणों द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है, तो $V_0$ और $K_{max}$ दोनों बढ़ जाते हैं।
कथन $-2$: आपतित प्रकाश में मौजूद आवृत्तियों की सीमा के कारण फोटोइलेक्ट्रॉन शून्य से अधिकतम मान तक की गति के साथ उत्सर्जित होते हैं।

$1.13 eV$ कार्य फलन वाली एक धातु की सतह को $310 nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश से विकिरणित किया जाता है। फोटोइलेक्ट्रॉनों के उत्सर्जन को रोकने के लिए आवश्यक मंदक विभव (retarding potential) क्या है ($V$ में)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ लें]

एक फोटोइलेक्ट्रिक सतह को क्रमिक रूप से $\lambda$ और $\frac{\lambda}{2}$ तरंगदैर्ध्य के मोनोक्रोमैटिक प्रकाश द्वारा प्रकाशित किया जाता है। यदि पहले मामले में उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा दूसरे मामले की तुलना में एक-तिहाई है,तो सामग्री की सतह का कार्य फलन (work function) क्या है? ($c=$ प्रकाश की गति,$h=$ प्लांक नियतांक)