જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા એક ઉત્સર્જક માટે,$600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રોનને મુક્ત કરવા માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર કેટલો છે?

જો એક ધાતુની શીટને $v_1$ અને $v_2$ આવૃત્તિ ધરાવતા વિકિરણો દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે અને ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1 : x$ હોય, તો ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બીજા કિસ્સાની ગતિઊર્જા કરતા ચોથા ભાગની હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શોધો ($c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક).

જો કોઈ ફોટોમેટલનું કાર્ય વિધેય (work function) $6.825 \; eV$ હોય,તો તેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ............. $\mathring A$ હશે $(c = 3 \times 10^8 \; m/s)$.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda$ અને $(\lambda / 3)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રથમ કિસ્સા કરતાં $4$ ગણી હોય,તો પદાર્થની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ)

હાઇડ્રોજનની $H_\beta$ અને $H_{\infty}$ રેખાઓની આવૃત્તિ જેટલી આવૃત્તિ ધરાવતા ફોટોન એક પ્રકાશસંવેદી પ્લેટ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હાઇડ્રોજનની $H_\alpha$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?