જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $1 \ m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $2 \ m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $h\nu_0$ છે. જો $2h\nu_0$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,તો ઇલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે બહાર આવે છે. જ્યારે ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5h\nu_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

આપેલ આલેખમાં બે અલગ-અલગ ધાતુઓ '$P$' અને '$Q$' માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_{s})$ નો આલેખ દર્શાવેલ છે. જો $\phi_{P}$ અને $\phi_{Q}$ એ અનુક્રમે '$P$' અને '$Q$' ધાતુઓના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) હોય,તો નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

ધાતુઓનું કાર્ય વિધેય $Na = 1.92 \, eV, K = 2.15 \, eV, Mo = 4.17 \, eV, Ni = 5.0 \, eV$ આપેલ છે. આ ધાતુઓ પૈકી કઈ ધાતુ $He-Cd$ લેસરમાંથી $3300 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઈના ઉત્સર્જન માટે ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં?