જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ બે ધાતુની પ્લેટો $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $A$ નું વર્ક ફંક્શન $B$ કરતા વધારે હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ અને આપાત આવૃત્તિ $v$ વચ્ચે દોરવામાં આવેલા નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ઉત્તેજિત અવસ્થા $(n = 3)$ થી તેની ધરા અવસ્થા $(n = 1)$ માં કૂદકો મારે છે અને આમ ઉત્સર્જિત ફોટોન પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $5.1 \, eV$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($, V$ માં)? ($n$ મી અવસ્થામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $E_n = \frac{-13.6}{n^2} \, eV$)

જ્યારે ધાતુ પર પડતા વિકિરણની તરંગલંબાઈ $500 \, nm$ થી બદલીને $200 \, nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થઈ જાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે $..... \, eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

આઈનસ્ટાઈનના ફોટો ઈલેક્ટ્રીક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$ છે. $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આ ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો