એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$ છે. $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આ ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $f_0$ છે. જ્યારે $2f_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5f_0$ કરવામાં આવે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v_2$ છે. $v_1$ અને $v_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોનની ઊર્જા $2 \ eV$ છે. જ્યારે તે ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. જો $\lambda$ નું મૂલ્ય $25\%$ ઘટાડવામાં આવે અને મહત્તમ વેગ બમણો કરવામાં આવે,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ...... $eV$ થાય.

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?