જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ અને એન્ટિમની ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે:

નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિઓ અનુક્રમે $N-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર અને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર દર્શાવે છે?

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ (intrinsic) અર્ધવાહકમાં હોલની સંખ્યા ઘનતા $(n_h)$ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n_e)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

અર્ધવાહકમાં પોઝિટિવ હોલ એટલે શું?

$N$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $3900 \ cm^2/V \cdot s$ છે અને તેની વાહકતા $6.24 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણ્ય હોય,તો અશુદ્ધિનું પ્રમાણ (impurity concentration) કેટલું હશે?

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$