જ્યારે અર્ધવાહકની વાહકતા માત્ર સહસંયોજક બંધ તૂટવાને કારણે હોય,ત્યારે તે અર્ધવાહકને શું કહેવામાં આવે છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિ $N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને દર્શાવે છે?

ધારો કે શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ અણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1 \text{ ppm}$ સાંદ્રતા ધરાવતા પંચસંયોજક $As$ વડે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$

એક સિલિકોન નમૂનાને $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ સરેરાશ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરીને $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ફેરવવામાં આવે છે. જો સિલિકોન નમૂનામાં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms}/m^3$ હોય,તો સિલિકોનમાં પ્રતિ ઘન સેન્ટિમીટર દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા કેટલી હશે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનું એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડથી $6 \ eV$ ઉપર છે. પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ જે હોલ બનાવી શકે તે કેટલી હશે ($nm$ માં)? (આપેલ છે: $hc = 1242 \ eV \ nm$)