$N$-प्रकार के अर्धचालक बनाने के लिए $Si$ में कौन सी अशुद्धि मिलाई जाती है?

$P$-प्रकार का अर्धचालक तैयार करने के लिए $Si$ के नमूने में इंडियम अशुद्धि मिलाई जाती है। इस अर्धचालक में $Si$ के $5 \times 10^7$ परमाणुओं के प्रति एक इंडियम परमाणु मिलाया गया है। $Si$ के नमूने का परमाणु घनत्व $5 \times 10^{28} \text{ परमाणु/m}^3$ है,तो सिलिकॉन के $1 \text{ cm}^3$ के घन में कितने स्वीकर्ता (एक्सेप्टर) परमाणु होंगे?

शुद्ध सिलिकॉन के एक नमूने में $10^{13} \text{ atoms/cm}^3$ फास्फोरस मिलाया जाता है। यदि सभी दाता (donor) परमाणु सक्रिय हैं,तो $20 ^oC$ पर प्रतिरोधकता (resistivity) क्या होगी यदि इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $1200 \text{ cm}^2/\text{V} \cdot \text{s}$ है? ($\Omega \cdot \text{cm}$ में)

निम्नलिखित में से किस कथन में प्राप्त अशुद्ध अर्धचालक $p$-प्रकार का है?

सिलिकॉन क्रिस्टल में फॉरबिडन गैप की चौड़ाई $1.1 \, eV$ है। जब क्रिस्टल को $N$-प्रकार के अर्धचालक में परिवर्तित किया जाता है,तो फर्मी स्तर की चालन बैंड (conduction band) से दूरी कितनी होती है?

यदि एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल धाराओं का अनुपात $\frac{7}{4}$ है और इलेक्ट्रॉनों तथा होलों के अपवाह वेग (drift velocities) का अनुपात $\frac{5}{4}$ है, तो इलेक्ट्रॉनों और होलों की सांद्रता का अनुपात क्या होगा?