निम्नलिखित में से कौन सा घटक $IC$ (इंटीग्रेटेड सर्किट) से आसानी से प्राप्त नहीं किया जा सकता है?

यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .

चित्र में दो आरेख दिखाए गए हैं जिनमें एक डायोड और एक प्रतिरोध जुड़ा हुआ है। निम्नलिखित कथनों में से कौन सा सत्य है?

निम्नलिखित परिपथ में,$PN$-जंक्शन डायोड $D_1$,$D_2$ और $D_3$ आदर्श हैं। $A$ और $B$ के निम्नलिखित विभव के लिए,$A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध का सही बढ़ता क्रम क्या होगा?
$(i) V_A = -10 V, V_B = -5 V$
$(ii) V_A = -5 V, V_B = -10 V$
$(iii) V_A = -4 V, V_B = -12 V$

एक $P-N$ जंक्शन डायोड $10 \ mA$ की धारा के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में है। डायोड के सिरों पर विभव पतन (potential drop) $0.5 \ V$ है। यह मानते हुए कि धारा विभव से स्वतंत्र है,इस फॉरवर्ड बायस स्थिति को बनाए रखने के लिए $200 \ \Omega$ के प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जुड़ी बैटरी का अधिकतम वोल्टेज कितना होगा? (in $V$)

$p-n$ जंक्शन में विसरण (डिफ्यूजन) धारा का परिमाण अपवाह (ड्रिफ्ट) धारा से अधिक होता है जब: