નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિ $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને દર્શાવે છે?

એક શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $10^{16} \ m^{-3}$ છે. ગેલિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_{h}$ વધીને $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો,ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં $n_{e}$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં ઉમેરવામાં આવતા અશુદ્ધિ પરમાણુની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય, તો:

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનને મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર તરીકે મેળવવા માટે,કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?