બે પ્લેટો વચ્ચે $0.4\ cm$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $2\ \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તે જગ્યાને $2.8$ ડાઇલેક્ટ્રીક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યથી ભરી દેવામાં આવે,તો કેપેસીટરનું અંતિમ કેપેસીટન્સ .....$\mu F$ થશે.

$d$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં દાખલ કરવામાં આવે છે,જેની ઋણ પ્લેટ $x = 0$ પર અને ધન પ્લેટ $x = 3d$ પર છે. સ્લેબ પ્લેટોથી સમાન અંતરે છે. કેપેસિટરને થોડો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. જેમ આપણે $x = 0$ થી $x = 3d$ તરફ જઈએ છીએ તેમ:

હવા માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $6\, \mu F$ છે. ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $30\, \mu F$ થાય છે. તો માધ્યમની પરમિટિવિટી .......... $C^{2} N^{-1} m^{-2}$ છે.
$(\varepsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} C^{2} N^{-1} m^{-2})$

જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_1$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની એક તૃતીયાંશ જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_2$ છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં,ડાયલેક્ટ્રિકને કેપેસિટરની પ્લેટોને સમાંતર મૂકવામાં આવે,તો $C_1: C_2=$

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1.0 \text{ pF}$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરવામાં આવે, તો કેપેસિટન્સ $2.0 \text{ pF}$ થાય છે. તો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $d/2$ જાડાઈની એક ધાતુની પ્લેટને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો કેપેસીટન્સ કેટલું થશે?