किसी पदार्थ से फोटोइलेक्ट्रॉन के उत्सर्जन के लिए देहली तरंगदैर्ध्य (threshold wavelength) $5200\, \text{\AA}$ है। निम्नलिखित में से किस एकवर्णी प्रकाश के आपतित होने पर फोटोइलेक्ट्रॉन का उत्सर्जन संभव होगा?

  • A
    $1\, W$ के अल्ट्रावायलेट लैंप से उत्सर्जित प्रकाश
  • B
    $50\, W$ के अल्ट्रावायलेट लैंप से उत्सर्जित प्रकाश
  • C
    $1\, W$ के इन्फ्रारेड लैंप से उत्सर्जित प्रकाश
  • D
    $(A)$ और $(B)$ दोनों

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निम्नलिखित में से कौन प्रकाश की कण प्रकृति को दर्शाता है?

प्रकाश-विद्युत प्रभाव के प्रयोग में विभव का प्रकाश-विद्युत धारा पर प्रभाव समझाइए।

निम्नलिखित ग्राफ एक धातु की सतह के लिए एनोड विभव के साथ फोटोकरंट के परिवर्तन को दर्शाता है। यहाँ $I_{1}, I_{2}$ और $I_{3}$ तीव्रताएँ हैं और $\gamma_{1}, \gamma_{2}, \gamma_{3}$ क्रमशः वक्र $1, 2$ और $3$ के लिए आवृत्तियाँ हैं,तो

जब प्रकाश का एकवर्णी बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2\, m$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज और संतृप्ति धारा (saturation current) क्रमशः $0.6\, V$ और $18.0\, mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6\, m$ दूर रखा जाए,तो

Difficult
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धातु की सतह पर आपतित प्रकाश की आवृत्ति $(v > v_0)$ को स्थिर रखते हुए तीव्रता बढ़ाने पर:

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