$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

સોલર સેલના નિર્માણ માટે આદર્શ પદાર્થો કયા છે? અને તેની પસંદગી માટેના માપદંડો જણાવો.

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

$p-n$ જંકશન સોલર સેલમાં,મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ દ્વારા ઉત્પન્ન થતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોમોટિવ ફોર્સનું મૂલ્ય કોના પ્રમાણમાં હોય છે?

એક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)