$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक को शुद्ध सिलिकॉन में क्या मिलाकर प्राप्त किया जा सकता है?

बाह्य (extrinsic) अर्धचालकों के लिए,जब डोपिंग स्तर बढ़ाया जाता है:

एक अर्धचालक में,इलेक्ट्रॉनों और होल्स की सांद्रता क्रमशः $8 \times 10^{18} \, m^{-3}$ और $5 \times 10^{18} \, m^{-3}$ है। यदि इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobility) क्रमशः $2.3 \, m^2/V \cdot s$ और $0.01 \, m^2/V \cdot s$ है,तो अर्धचालक है:

एक दाता (donor) अशुद्धि के परिणामस्वरूप क्या होता है?

$P$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (Acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ कहाँ स्थित होते हैं?

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?