$100 eV$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો. $[$ $h=4.14 \times 10^{-15} eVs$, ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= \frac{0.5 \times 10^6}{c^2} eV/c^2$, $1 pm = 10^{-12} m$ નો ઉપયોગ કરો $]$ ($pm$ માં)

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં ઇલેક્ટ્રોનના કયા સ્વભાવનો ઉપયોગ થાય છે?

જો ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન $P$ જેટલું બદલાય,તો તેની સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇમાં $5 \%$ નો ફેરફાર થાય છે. તો ઇલેક્ટ્રોનનું પ્રારંભિક વેગમાન કેટલું હશે ($P$ માં)?

એક ઇલેક્ટ્રોન બીમની ગતિઊર્જા $100\; eV$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9.1 \times 10^{-31}\; kg$,$1\; eV = 1.6 \times 10^{-19}\; J$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34}\; Js$ હોય,તો આ બીમ સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) શોધો.

$m$ દળ ધરાવતો કણ $v$ વેગથી ગતિ કરતો હોય,તો તેની સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થાય?

પ્રારંભિક ગતિઊર્જા $E$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો એક મુક્ત કણ એવા વિસ્તારમાં પ્રવેશે છે જ્યાં તેની સ્થિતિઊર્જા $V$ છે. કણની નવી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?