ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $\log E$ અને તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\log \lambda$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી કરવામાં આવે,તો તેની સાથે સંકળાયેલી ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલા ગણા બદલાશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન,$\alpha$-કણ અને પ્રોટોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $4K, 2K$ અને $K$ છે. ઇલેક્ટ્રોન $(\lambda_e)$,$\alpha$-કણ $(\lambda_\alpha)$ અને પ્રોટોન $(\lambda_p)$ સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે:

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં ઇલેક્ટ્રોનના કયા સ્વભાવનો ઉપયોગ થાય છે?

$m_p$ દળ ધરાવતા પ્રોટોનની ઊર્જા $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ફોટોન જેટલી જ છે. જો પ્રોટોન અ-સાપેક્ષવાદી ઝડપે ગતિ કરતો હોય,તો તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ અને ફોટોનની તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

$V_1$ વોલ્ટના સ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત ઇલેક્ટ્રોન માટે ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_1$ છે. જ્યારે સ્થિતિમાનનો તફાવત બદલીને $V_2$ વોલ્ટ કરવામાં આવે છે, ત્યારે સંબંધિત ડી બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇમાં $50\%$ નો વધારો થાય છે. જો $(V_1/V_2) = (9/\alpha)$ હોય, તો $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.