$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર શેના કારણે હોય છે?

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

વિધાન: આપેલ આકૃતિમાં $p-n$ જંકશનમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ $10\, mA$ હશે.
કારણ: ઉપરની આકૃતિમાં,$p-$બાજુ $n-$બાજુ કરતા ઉચ્ચ સ્થિતિમાન પર છે.

$PN$-જંકશન ડાયોડના ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં અવરોધનો આશરે ગુણોત્તર કેટલો હોય છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં બેટરીમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો છે ($\text{A}$ માં)?