જ્યારે પ્રકાશનો ફોટોન ધાતુની સપાટી સાથે અથડાય છે, ત્યારે બહાર આવતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા (જો કોઈ હોય તો) કેટલી હોય છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,જ્યારે $h \nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી (વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$) પર પડે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આના વિશે શું કહી શકાય?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોસેલથી $1 \ m$ અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોસેલથી $2 \ m$ અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 3 \lambda_2$ હોય,તો:

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)