નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?
- Aત્રિસંયોજક અશુદ્ધિઓ સાથે ડોપ કરેલ શુદ્ધ $Si$ એ $p-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર આપે છે.
- B$n-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં મેજોરિટી કેરિયર્સ હોલ્સ છે.
- C$p-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં માઇનોરિટી કેરિયર્સ ઇલેક્ટ્રોન છે.
- Dતાપમાનમાં વધારા સાથે આંતરિક સેમિકન્ડક્ટરનો અવરોધ ઘટે છે.
Explore More
Similar Questions
$N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પરનો કુલ વિદ્યુતભાર કેટલો હોય છે?
Medium
View Solution$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?
વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.
MediumAIIMS 2005
View Solution$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
Easy
View Solution$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo