એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરને નીચેનામાંથી કોના દ્વારા ડોપિંગ કરીને $N$-ટાઈપ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે?

ધારો કે ${n_h}$ અને ${n_e}$ એ અર્ધવાહકમાં અનુક્રમે હોલ અને કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા છે. તો

$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

$P-$ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,જર્મેનિયમમાં શેની અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$6.4 \ \Omega^{-1} \ cm^{-1}$ વાહકતા ધરાવતો $n$-પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે શુદ્ધ જર્મેનિયમ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવા પડતા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા કેટલી હશે? $n$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટી $4 \times 10^3 \ cm^2 \ V^{-1} \ s^{-1}$ છે. વાહકતામાં હોલ્સના ફાળાને અવગણો.

$500 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન સંખ્યા-ઘનતા $(n_e)$ અને હોલ સંખ્યા-ઘનતા $(n_h)$ સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,તેમાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરતાં હોલ ઘનતા $(n_h)$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. આ અશુદ્ધિ ઉમેરેલ અર્ધવાહક ...