ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ શક્ય વેગ કેટલો હશે? ($m$ એ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ છે)

$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E._{max})$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. આલેખનો ઢાળ અને $X$-અક્ષ પરનો અંતઃછેદ અનુક્રમે શું છે?

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ બિંદુ પર વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 200 [\sin(6 \times 10^{15} t) + \sin(9 \times 10^{15} t)] \, Vm^{-1}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eVs$. જો આ પ્રકાશ $2.50 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ હશે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજિત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

જ્યારે $3f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $2hf$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ $v$ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $4.25f$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક).