જો બે વિદ્યુતભારો $q_1$ અને $q_2$ ને $d$ અંતરે રાખવામાં આવે અને તેમને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે, તો સમાન સ્થિત-વિદ્યુત બળ માટે હવામાં તેમની વચ્ચેનું સમતુલ્ય અંતર કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરીના ટર્મિનલ્સ સાથે જોડવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,mm$ છે. જો તેમની વચ્ચે $4.5\,mm$ જાડાઈની કાચની પ્લેટ (ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 9$) મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ કેટલા ગણું થશે?

વિધાન: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક બળ ઘટે છે.
કારણ: જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરે છે ત્યારે ચાર્જ થયેલા આઇસોલેટેડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું ઇલેક્ટ્રિક ફિલ્ડ વધે છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોને $100 \,V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે। પ્લેટોની વચ્ચે $2 \,mm$ જાડાઈની ઇન્સ્યુલેટર શીટ મૂકવામાં આવે છે। ત્યારબાદ, સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \,mm$ જેટલું વધારવામાં આવે છે। ઇન્સ્યુલેટરનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને બેટરી જોડાયેલી રહે છે. $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે અને પછી બહાર કાઢવામાં આવે છે. તો પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતક્ષેત્રમાં શું ફેરફાર થશે?

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?