$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે? જો ઈન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ હોય અને આ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ અને હોલ મોબિલિટી $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ હોય.

  • A
    $1.14 \times 10^3 \ mho/cm$
  • B
    $3.0 \times 10^6 \ mho/cm$
  • C
    $4.24 \times 10^{-5} \ mho/cm$
  • D
    $3.14 \times 10^{-6} \ mho/cm$

Explore More

Similar Questions

વિધાન-$I$: સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરને પેન્ટાવેલેન્ટ પદાર્થ સાથે ડોપિંગ કરવાથી,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા વધે છે.
વિધાન-$II$: $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પર ચોખ્ખો ઋણ વીજભાર હોય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

Difficult
View Solution

$N$-પ્રકારના જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $3900 \ cm^2/V \cdot s$ છે અને તેની વાહકતા $6.24 \ mho/cm$ છે. જો હોલ્સની અસર અવગણ્ય હોય,તો અશુદ્ધિનું પ્રમાણ (impurity concentration) કેટલું હશે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?

શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાની પ્રક્રિયાને શું કહેવામાં આવે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo